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硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺

2003年 应用技术
  • 成果简介
该制备工艺包括前处理-形成等离子体球-调整压力-生长金刚石膜-后处理等过程。该工艺先将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研；之后存H_2气氛中启动微波形成等离子体球；再按顺序调整CH_4与H_2比例、微波功率、气压和温度；最后在低气压下生长金刚石膜；后处理是在硅衬底上加负偏压，保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀，品质好，消除了内应力，完全适合于硅片键合技术要求。...
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